Analog Devices
HMC329ALC3BTR-R5
主要参数包括射频频率 24～32 GHz、本振频率 24～32 GHz、中频频率 0 Hz to 8 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 13.5 dB、噪声系数（NF） 12 dB，采用 LCC-12 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Analog Devices Inc.
- 品牌
- Analog Devices
- 产品类别
- RF Mixer
- 产品系列
- HMC329
- 封装
- LCC-12
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
技术参数
12 项参数- 射频频率
- 24～32 GHz
- 转换损耗（最大值）
- 13.5 dB
- 噪声系数（NF）
- 12 dB
- 本振频率
- 24～32 GHz
- 中频频率
- 0 Hz to 8 GHz
- 工作温度范围
- -40～85 °C
- 原产国家或地区
- 美国
- 开发套件
- EV1HMC329ALC3B
- 输出三阶截点（OIP3）
- 20 dBm
- 1 dB 压缩点（P1dB）
- 12 dBm
- 耗散功率（Pd）
- 200 mW
- 技术
- GaAs
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。