LTC5567IUF#PBF
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电压 3～3.6 V、射频频率 300～4000 MHz、本振频率 300～4500 MHz、中频频率 5～2500 MHz、噪声系数（NF） 14.6 dB、最大工作温度 + 105 C，采用 QFN-16 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录F1150NBGI
IDT · 封装：VFQFPN-36
主要参数包括商品名称 Zero-Distortion、型号别名 IDTF1150 IDTF1150NBGI，采用 VFQFPN-36 封装。HMC264LC3BTR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-12
主要参数包括工作电源电压 4 V、射频频率 21～31 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 12 dB、噪声系数（NF） 12 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-12 封装。MAX2042AETP+
Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-20
主要参数包括工作电源电压 5 V、射频频率 1800～3000 MHz、最大工作频率 3000 MHz、转换损耗（最大值） 7.2 dB、噪声系数（NF） 7.3 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 TQFN-EP-20 封装。HMC-MDB277-SX
Analog Devices / Hittite · 封装：DIE
主要参数包括射频频率 70～90 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 12 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 55 C，采用 DIE 封装。HMC786LP4E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括工作电源电压 5 V、射频频率 700～1100 MHz、技术 硅、转换损耗（最大值） 9.5 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-24 封装。HMC688LP4E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括工作电源电压 5 V、射频频率 2～2.7 GHz、技术 硅、转换损耗（最大值） 10 dB、噪声系数（NF） 8 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-24 封装。RF2052TR13
Qorvo · 封装：QFN-32
主要参数包括工作电源电压 3 V、射频频率 30 MHz to 2.5 GHz、本振频率 300 MHz to 2.4 GHz、中频频率 30 MHz to 2.5 GHz、技术 硅、噪声系数（NF） 12 dB，采用 QFN-32 封装。MAX2029ETP+
Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-20
主要参数包括型号别名 MAX2029，采用 TQFN-EP-20 封装。HMC785LP4E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括工作电源电压 5 V、射频频率 1.7～2.2 GHz、技术 硅、转换损耗（最大值） 10 dB、噪声系数（NF） 8 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-24 封装。SMA5101-TL-H
ON Semiconductor · 封装：SIP
主要参数包括技术 硅、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、耗散功率（Pd） 280 mW，采用 SIP 封装。AD8343ARUZ
Analog Devices · 封装：TSSOP-14
主要参数包括工作电源电压 5 V、射频频率 50 MHz to 2.5 GHz、最大工作频率 2500 MHz、转换损耗（最大值） 7 dB、噪声系数（NF） 14 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 TSSOP-14 封装。HMC1056LP4BE
Analog Devices / Hittite · 封装：SMT-20
主要参数包括射频频率 8～12 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 11 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、耗散功率（Pd） 800 mW，采用 SMT-20 封装。HMC554ALC3B
Analog Devices · 封装：SMT-12
主要参数包括射频频率 11～20 GHz、本振频率 11～20 GHz、中频频率 DC to 6 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 11 dB、噪声系数（NF） 8 dB，采用 SMT-12 封装。SA612AD/01,118
NXP Semiconductors · 封装：SO-8
主要参数包括最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、型号别名 935275263118、单件重量 0.002628 oz，采用 SO-8 封装。M2A
MACOM · 封装：TO-8
主要参数包括最大工作频率 1500 MHz、最大工作温度 + 100 C、最小工作温度 - 20 C，采用 TO-8 封装。MAMXSS0013TR-3000
MACOM · 封装：SOT-25
主要参数包括射频频率 1400～2100 MHz、最大工作频率 2100 MHz、转换损耗（最大值） 9 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 SOT-25 封装。HMC404
Analog Devices / Hittite · 封装：Chip
主要参数包括工作电源电压 4 V、射频频率 26～33 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） 15 dB、噪声系数（NF） 15 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 Chip 封装。HMC1063LP3E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-16
主要参数包括射频频率 24～28 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） - 9.5 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、耗散功率（Pd） 550 mW，采用 QFN-16 封装。MAX2051ETP+
Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-20
主要参数包括工作电源电压 4.75～5.25 V、射频频率 850～1550 MHz、最大工作频率 1550 MHz、转换损耗（最大值） 7.4 dB、噪声系数（NF） 7.8 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 TQFN-EP-20 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。