Analog Devices / Hittite
HMC1063LP3E
主要参数包括射频频率 24～28 GHz、技术 GaAs、转换损耗（最大值） - 9.5 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、耗散功率（Pd） 550 mW，采用 QFN-16 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Analog Devices Inc.
- 品牌
- Analog Devices / Hittite
- 产品类别
- RF Mixer
- 产品系列
- HMC1063
- 封装
- QFN-16
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
5 项参数- 射频频率
- 24～28 GHz
- 转换损耗（最大值）
- - 9.5 dB
- 工作温度范围
- -40～85 °C
- 技术
- GaAs
- 耗散功率（Pd）
- 550 mW
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。