ARF476FL
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 150 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 10 A、漏源击穿电压（Vds） 500 V。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录ARF477FL
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 100 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 15 A、漏源击穿电压（Vds） 500 V。AFM912NT1
NXP Semiconductors · 封装：DFN-16
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 136～941 MHz、技术 Si、连续漏极电流（Id） 4.7 A、漏源击穿电压（Vds） 30 V、增益 13.3 dB、输出功率 15.7 W，采用 DFN-16 封装。AFT05MP075N-54M
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 136～520 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 8 A。AFT05MS004-200M
NXP Semiconductors · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 136～941 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 4 A、漏源击穿电压（Vds） 30 V，采用 SOT-89-3 封装。AFT27S006N-1000M
NXP Semiconductors · 封装：PLD-1.5W
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 728 MHz to 3.7 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 PLD-1.5W 封装。ART150PEGZ
Ampleon · 封装：TO-270-2G-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1～650 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 497 mOhms，采用 TO-270-2G-1-3 封装。ART150PEXY
Ampleon · 封装：TO-270-2F-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1～650 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 497 mOhms，采用 TO-270-2F-1-3 封装。ART150PEZ
Ampleon · 封装：TO-270-2F-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1～650 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 497 mOhms，采用 TO-270-2F-1-3 封装。ART150PEGXY
Ampleon · 封装：TO-270-2G-1-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1～650 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 497 mOhms，采用 TO-270-2G-1-3 封装。ART150FEU
Ampleon · 封装：SOT467C-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1～650 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 482 mOhms，采用 SOT467C-3 封装。ART1K6FHGJ
Ampleon · 封装：SOT1248C-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1～425 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 55 V、漏源导通电阻（Rds On） 84 mOhms，采用 SOT1248C-5 封装。ART1K6FHSU
Ampleon · 封装：SOT539BN-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1～425 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 55 V、漏源导通电阻（Rds On） 84 mOhms，采用 SOT539BN-5 封装。ART1K6FHU
Ampleon · 封装：SOT539AN-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1～425 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 55 V、漏源导通电阻（Rds On） 84 mOhms，采用 SOT539AN-5 封装。ART1K6PHGY
Ampleon
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1～450 MHz、技术 LDMOS、类型 RF Power MOSFET、漏源击穿电压（Vds） 177 V、增益 27.3 dB。ART1K6PHGZ
Ampleon
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1～450 MHz、技术 LDMOS、类型 RF Power MOSFET、漏源击穿电压（Vds） 177 V、增益 27.3 dB。ART1K6PHY
Ampleon
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1～450 MHz、技术 LDMOS、类型 RF Power MOSFET、漏源击穿电压（Vds） 177 V、增益 27.3 dB。ART1K6PHZ
Ampleon
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1～450 MHz、技术 LDMOS、类型 RF Power MOSFET、漏源击穿电压（Vds） 177 V、增益 27.3 dB。ART1K9FHU
Ampleon · 封装：SOT539A-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1～500 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 55 V、漏源导通电阻（Rds On） 69 mOhms，采用 SOT539A-5 封装。ART2K0FEGJ
Ampleon · 封装：SOT1248C-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1～400 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 100 mOhms，采用 SOT1248C-5 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。