NXP Semiconductors
AFT27S006N-1000M
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 728 MHz to 3.7 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 PLD-1.5W 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- NXP
- 品牌
- NXP Semiconductors
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- AFT27S006N
- 封装
- PLD-1.5W
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
技术参数
12 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 技术
- Si
- 漏源击穿电压（Vds）
- 65 V
- 工作频率
- 728 MHz to 3.7 GHz
- 增益
- 16 dB
- 输出功率
- 28.8 dBm
- 工作温度范围
- -40～150 °C
- 通道数
- 1 个通道
- 类型
- RF Power MOSFET
- 栅源电压（Vgs）
- + 10 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 1.6 V
- 型号别名
- 935412238598
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。