芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

20,447 条型号记录

每页 20 条

AFT09S200W02SR3

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性是、型号别名 935318364128、单件重量 0.115628 oz。

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MRF8P8300HSR6

NXP Semiconductors · 封装：NI-1230S

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 0.79～0.82 GHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 70 V、增益 20.9 dB、输出功率 96 W，采用 NI-1230S 封装。

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A2V09H400-04NR3

NXP Semiconductors · 封装：OM-780-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 720～960 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.1 A，采用 OM-780-4 封装。

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A2T23H160-24SR3

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935326016128、单件重量 0.164793 oz。

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A2T18S261W12NR3

NXP Semiconductors · 封装：OM-880X-2L2L

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1805～1880 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 3 A，采用 OM-880X-2L2L 封装。

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MMRF1013HR5

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935322103178、单件重量 0.465355 oz。

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MMRF1013HSR5

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935318222178、单件重量 0.300472 oz。

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MRF8P8300HR6

NXP Semiconductors · 封装：NI-1230

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 0.79～0.82 GHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 70 V、增益 20.9 dB、输出功率 96 W，采用 NI-1230 封装。

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MHT2000NR1

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性是、型号别名 935318243528、单件重量 0.058206 oz。

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MRFE6VP6300GSR5

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935321994178、单件重量 0.161213 oz。

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AFG24S100HR5

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935320738128、单件重量 0.119748 oz。

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MRF300A-40MHZ

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 40 MHz。

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DRF1310

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 30 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 500 V、耗散功率（Pd） 2 kW。

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NVJD5121NT1G-M06

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、原产国家或地区中国。

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GRF0020D

Guerrilla RF

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 0 Hz to 7 GHz、技术 GaN-on-SiC、连续漏极电流（Id） 1.27 mA、漏源击穿电压（Vds） 150 V、输出功率 30 W、最大工作温度 + 225 C。

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GRF0030D

Guerrilla RF

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 0 Hz to 7 GHz、技术 GaN-on-SiC、连续漏极电流（Id） 1.93 mA、漏源击穿电压（Vds） 150 V、输出功率 50 W、最大工作温度 + 225 C。

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ARF466AG

Microchip Technology · 封装：TO-247-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、原产国家或地区菲律宾、单件重量 1.340411 oz，采用 TO-247-3 封装。

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ARF465BG

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 60 MHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 6 A、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、增益 13 dB。

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ARF469BG

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区菲律宾。

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ARF475FL

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 150 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 10 A、漏源击穿电压（Vds） 500 V。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。