Microchip Technology
DRF1310
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 30 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 500 V、耗散功率（Pd） 2 kW。
基本资料
- 制造商
- Microchip
- 品牌
- Microchip Technology
- 产品类别
- 晶体管
技术参数
6 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 技术
- Si
- 漏源击穿电压（Vds）
- 500 V
- 工作频率
- 30 MHz
- 耗散功率（Pd）
- 2 kW
- 类型
- RF Power MOSFET
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。