芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

20,447 条型号记录

每页 20 条

AFT23H160-25SR3

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性是、型号别名 935320681128、单件重量 0.124919 oz。

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MRF8P20140WGHSR3

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935311633128、单件重量 0.115628 oz。

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AFT18P350-4S2LR6

NXP Semiconductors · 封装：NI-1230-4

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1805～1880 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 1 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 NI-1230-4 封装。

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MMRF1317HSR5

NXP Semiconductors · 封装：NI-1230S-4S-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.02～1.1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.6 A，采用 NI-1230S-4S-4 封装。

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MMRF1312HR5

NXP Semiconductors · 封装：NI-1230H-4S-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 900 MHz to 1.215 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.6 A，采用 NI-1230H-4S-4 封装。

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MRF8P20165WHR3

NXP Semiconductors · 封装：NI-780S-4

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.88～2.025 GHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、增益 16.3 dB、输出功率 28 W，采用 NI-780S-4 封装。

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AFT21S240-12SR3

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性是、型号别名 935320365128、单件重量 0 oz。

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A2T21S160-12SR3

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935323736128、单件重量 0.162645 oz。

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AFT26HW050SR3

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2620～2690 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、增益 15 dB、输出功率 9 W、型号别名 935311158128。

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MMRF1006HSR5

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935311705178、单件重量 0.299419 oz。

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MRF6V12500GSR5

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935326078178、单件重量 0.166952 oz。

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MRFE6VP6300HSR5

NXP Semiconductors · 封装：NI-780S-4

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.8～600 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 130 V、增益 26.6 dB，采用 NI-780S-4 封装。

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MRF6VP121KHR5

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935319545178、单件重量 0.464696 oz。

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AFT20P140-4WNR3

NXP Semiconductors · 封装：OM-780-4

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1880～2025 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 500 mA、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 OM-780-4 封装。

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MRF8VP13350GNR3

NXP Semiconductors · 封装：OM-780G-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 700～1300 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 1.3 A，采用 OM-780G-4 封装。

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A2T21H410-24SR6

NXP Semiconductors · 封装：NI-1230S-4L2L-6

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2.11～2.17 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 1.6 A, 2.7 A，采用 NI-1230S-4L2L-6 封装。

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MRF6V12500HR5

NXP Semiconductors · 封装：NI-780

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 0.96～1.215 GHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 110 V、增益 18.5 dB、输出功率 50 W，采用 NI-780 封装。

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MRF6V3090NR1

NXP Semiconductors · 封装：TO-272-4

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 0.47～0.86 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 115 V、增益 22 dB，采用 TO-272-4 封装。

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MMRF1314HR5

NXP Semiconductors · 封装：NI-1230H-4S-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.2～1.4 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.6 A，采用 NI-1230H-4S-4 封装。

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A2T23H300-24SR6

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935322359128、单件重量 0.303504 oz。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。