NXP Semiconductors
MRFE6VP6300HSR5
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.8～600 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 130 V、增益 26.6 dB，采用 NI-780S-4 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- NXP
- 品牌
- NXP Semiconductors
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- MRFE6VP6300
- 封装
- NI-780S-4
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
14 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 技术
- Si
- 漏源击穿电压（Vds）
- 130 V
- 增益
- 26.6 dB
- 输出功率
- 300 W
- 工作温度范围
- -30～150 °C
- 配置
- Single
- 工作频率
- 1.8～600 MHz
- 类型
- RF Power MOSFET
- 耗散功率（Pd）
- 1.05 kW
- 栅源电压（Vgs）
- 10 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 2.2 V
展开更多参数（2 项）
- 型号别名
- 935314385178
- 单件重量
- 0.161213 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。