芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

20,447 条型号记录

每页 20 条

AFT09MP055NR1

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、湿敏性是、型号别名 935315139528、单件重量 0.057671 oz。

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MRF6V14300HR5

NXP Semiconductors · 封装：NI-780

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.2～1.4 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、增益 18 dB，采用 NI-780 封装。

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MRF8P9040NR1

NXP Semiconductors · 封装：TO-272-4

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 700～1000 MHz、技术 Si、漏源击穿电压（Vds） - 500 mV, 70 V、增益 20.5 dB、湿敏性是、栅源电压（Vgs） - 6 V, 10 V，采用 TO-272-4 封装。

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A2T20H160W04NR3

NXP Semiconductors · 封装：OM-780-4L-4

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.88～2.025 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、增益 17 dB、输出功率 28 W，采用 OM-780-4L-4 封装。

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MRF6V13250HSR5

NXP Semiconductors · 封装：NI-780S

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.3 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 120 V、增益 20 dB，采用 NI-780S 封装。

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MRF6VP3450HSR5

NXP Semiconductors · 封装：NI-1230S

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 110 V、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 NI-1230S 封装。

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MRFE6VP61K25GSR5

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、型号别名 935311183178、单件重量 0.265546 oz。

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AFT05MP075NR1

NXP Semiconductors · 封装：TO-270-WB-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 136～520 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 3 A，采用 TO-270-WB-4 封装。

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MRF1518NT1

NXP Semiconductors · 封装：PLD-1.5

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 520 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 4 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PLD-1.5 封装。

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MRF7S24250N-3STG

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935345449598、单件重量 0.017637 oz。

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MMRF1318NR1

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性是、型号别名 935320482528、单件重量 0.058073 oz。

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A2T21S260W12NR3

NXP Semiconductors · 封装：OM-880X-2L2L

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2110～2200 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 3.2 A，采用 OM-880X-2L2L 封装。

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MMRF1317HR5

NXP Semiconductors · 封装：NI-1230H-4S-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.02～1.1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.6 A，采用 NI-1230H-4S-4 封装。

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MMRF1007HSR5

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935320316178、单件重量 0.301398 oz。

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MRFE6S9125NBR1

NXP Semiconductors · 封装：TO-272-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 880 MHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） - 500 mV, 66 V、增益 20.2 dB，采用 TO-272-4 封装。

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MRFE6VP5300GNR1

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性是、型号别名 935320438528、单件重量 0.057666 oz。

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MRF8S18210WHSR3

NXP Semiconductors · 封装：NO-880XS-2

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1805～1995 MHz、技术 Si、增益 20 dB、输出功率 50 W、配置 Single、型号别名 935314716128，采用 NO-880XS-2 封装。

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A2T18S260-12SR3

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935318801128、单件重量 0 oz。

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AFV141KGSR5

NXP Semiconductors · 封装：NI-1230GS-4L-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.2～1.4 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.6 A，采用 NI-1230GS-4L-4 封装。

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AFV141KHSR5

NXP Semiconductors · 封装：NI-1230S-4S-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.2～1.4 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.6 A，采用 NI-1230S-4S-4 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。