NXP Semiconductors
MMRF1317HR5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.02～1.1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.6 A，采用 NI-1230H-4S-4 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- NXP
- 品牌
- NXP Semiconductors
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- NI-1230H-4S-4
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
技术参数
15 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 技术
- Si
- 连续漏极电流（Id）
- 2.6 A
- 漏源击穿电压（Vds）
- - 500 mV, 105 V
- 增益
- 18.2 dB
- 输出功率
- 1.3 kW
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 工作频率
- 1.02～1.1 GHz
- 类型
- RF Power MOSFET
- 通道数
- 2 个通道
- 耗散功率（Pd）
- 869 W
- 栅源电压（Vgs）
- - 6 V, 10 V
展开更多参数（3 项）
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 1.7 V
- 型号别名
- 935318748178
- 单件重量
- 0.465355 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。