芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

20,447 条型号记录

每页 20 条

MMRF1008GHR5

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935320879178、单件重量 0 oz。

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AFT20P060-4GNR3

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、通道模式 Enhancement、湿敏性是、型号别名 935322069528、单件重量 0.108683 oz。

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MMRF1022HSR5

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935323695178、单件重量 0.303504 oz。

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MMRF1310HR5

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935318225178、单件重量 0.225605 oz。

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MRF6S20010NR1

NXP Semiconductors · 封装：TO-270

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 68 V、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C、配置 Single，采用 TO-270 封装。

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MMRF1315NR1

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性是、型号别名 935323557528、单件重量 0.018679 oz。

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MMRF1005HSR5

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935315357178、单件重量 0.168010 oz。

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MMRF1016HR5

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935322153178、单件重量 0.464036 oz。

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MRF6V12250HSR5

NXP Semiconductors · 封装：NI-780S

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 0.96～1.215 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 110 V、增益 20.3 dB，采用 NI-780S 封装。

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MMRF1308HR5

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935323564178、单件重量 0.464036 oz。

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AFT21S232SR5

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、型号别名 935311357178、单件重量 0.162645 oz。

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A2T09D400-23NR6

NXP Semiconductors · 封装：OM-1230-4L2S-7

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 716～960 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.7 A，采用 OM-1230-4L2S-7 封装。

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MMRF1005HR5

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935315356178、单件重量 0.226635 oz。

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MRFE8VP8600HR5

NXP Semiconductors · 封装：NI-1230H-4

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 470～860 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.8 A，采用 NI-1230H-4 封装。

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A2T21H360-24SR6

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935318247128、单件重量 0.303504 oz。

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MRF8S9220HSR3

NXP Semiconductors · 封装：NI-780S

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 920～960 MHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 70 V、增益 19.4 dB、输出功率 65 W，采用 NI-780S 封装。

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A2T07D160W04SR3

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935315451128、单件重量 0.108859 oz。

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MRF6V2010GNR1

NXP Semiconductors · 封装：TO-270-2

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 450 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 110 V、增益 23.9 dB，采用 TO-270-2 封装。

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MMRF1304GNR1

NXP Semiconductors

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性是、型号别名 935315325528、单件重量 0.019330 oz。

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MRF6V14300HSR5

NXP Semiconductors · 封装：NI-780S

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.2～1.4 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、增益 18 dB，采用 NI-780S 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。