NXP Semiconductors
MRF6S20010NR1
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 68 V、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C、配置 Single，采用 TO-270 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- NXP
- 品牌
- NXP Semiconductors
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- MRF6S20010N
- 封装
- TO-270
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- E
技术参数
13 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 技术
- Si
- 漏源击穿电压（Vds）
- 68 V
- 工作温度范围
- -65～150 °C
- 配置
- Single
- 高度
- 2.08 mm
- 长度
- 9.7 mm
- 宽度
- 6.15 mm
- 通道模式
- Enhancement
- 湿敏性
- 是
- 栅源电压（Vgs）
- - 0.5 V, 12 V
- 型号别名
- 935313769528
展开更多参数（1 项）
- 单件重量
- 0.018679 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。