MRFE6VP5150GNR1
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、湿敏性 是、型号别名 935320449528、单件重量 0.057666 oz。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录AFT09MS031NR1
NXP Semiconductors · 封装：TO-270-2
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 764～941 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、漏源击穿电压（Vds） - 500 mV, 40 V、增益 18.5 dB、湿敏性 是，采用 TO-270-2 封装。AFT09MS015NT1
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、湿敏性 是、型号别名 935324771515、单件重量 0.009877 oz。AFT05MS006NT1
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、湿敏性 是、型号别名 935311718515、单件重量 0.009877 oz。AFT05MS003NT1
NXP Semiconductors · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1.8～941 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.6 A，采用 SOT-89-3 封装。MRF6V2150NR1
NXP Semiconductors · 封装：TO-270-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 220 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 110 V、增益 25 dB，采用 TO-270-4 封装。MRFE6VP5300NR1
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、湿敏性 是、型号别名 935312013528、单件重量 0.057671 oz。MRFE6VP61K25HR6
NXP Semiconductors · 封装：NI-1230
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.8 MHz, 600 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 10 uA、漏源击穿电压（Vds） 133 V，采用 NI-1230 封装。MRFE6VP61K25HR5
NXP Semiconductors · 封装：NI-1230
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.8 MHz, 600 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 10 uA、漏源击穿电压（Vds） 133 V，采用 NI-1230 封装。MRF1K50HR5
NXP Semiconductors · 封装：NI-1230H-4S
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.8～500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.4 A，采用 NI-1230H-4S 封装。MRFE6VP5150NR1
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、湿敏性 是、型号别名 935312397528、单件重量 0.057671 oz。AFT27S010NT1
NXP Semiconductors · 封装：PLD-1.5W
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 100 MHz to 3.6 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 90 mA，采用 PLD-1.5W 封装。MRFE6VP6300HR3
NXP Semiconductors · 封装：NI-780-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.8～600 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 130 V、增益 26.6 dB，采用 NI-780-4 封装。MRF6V12250HR5
NXP Semiconductors · 封装：NI-780
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 0.96～1.215 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 110 V、增益 20.3 dB，采用 NI-780 封装。AFT09MS031GNR1
NXP Semiconductors · 封装：TO-270-2
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 764～941 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、漏源击穿电压（Vds） - 500 mV, 40 V、增益 18.5 dB、湿敏性 是，采用 TO-270-2 封装。MW6S010NR1
NXP Semiconductors · 封装：TO-270
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 125 mA、漏源击穿电压（Vds） 68 V、最小工作温度 - 65 C，采用 TO-270 封装。MMRF1014NT1
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 935318295515、单件重量 0.009877 oz。MRFE6VS25NR1
NXP Semiconductors · 封装：TO-270-2
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.8～2000 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、漏源击穿电压（Vds） - 500 mV, 133 V、增益 27 dB、湿敏性 是，采用 TO-270-2 封装。MRF1513NT1
NXP Semiconductors · 封装：PLD-1.5
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 520 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PLD-1.5 封装。MRF6V10010NR4
NXP Semiconductors · 封装：PLD-1.5
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 960～1400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、增益 25 dB，采用 PLD-1.5 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。