NXP Semiconductors
AFT09MS031GNR1
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 764～941 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、漏源击穿电压（Vds） - 500 mV, 40 V、增益 18.5 dB、湿敏性 是，采用 TO-270-2 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- NXP
- 品牌
- NXP Semiconductors
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- AFT09MS031N
- 封装
- TO-270-2
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- E
技术参数
9 项参数- 技术
- Si
- 漏源击穿电压（Vds）
- - 500 mV, 40 V
- 增益
- 18.5 dB
- 工作频率
- 764～941 MHz
- 类型
- RF Power MOSFET
- 湿敏性
- 是
- 栅源电压（Vgs）
- - 6 V, 12 V
- 型号别名
- 935314738528
- 单件重量
- 0.019330 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。