D2031UK
Semelab / TT Electronics · 封装：F-0127-8
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 3 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 F-0127-8 封装。射频与无线
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
20,447 条型号记录D1030UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DR
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 40 A、漏源击穿电压（Vds） 70 V，采用 DR 封装。D5030UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DR
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 24 A、漏源击穿电压（Vds） 125 V，采用 DR 封装。D1009UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DR
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 20 A、漏源击穿电压（Vds） 70 V，采用 DR 封装。D5029UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DR
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 21 A、漏源击穿电压（Vds） 125 V，采用 DR 封装。D5017UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DM
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 18 A、漏源击穿电压（Vds） 125 V，采用 DM 封装。D1213UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DBC1-8
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 20 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 DBC1-8 封装。D1012UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DH
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 15 A、漏源击穿电压（Vds） 70 V，采用 DH 封装。D1024UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DD
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 5 A、漏源击穿电压（Vds） 70 V，采用 DD 封装。D2218UK
Semelab / TT Electronics · 封装：Flangeless DP
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 16 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 Flangeless DP 封装。D2008UK
Semelab / TT Electronics · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 TO-39-3 封装。D1203UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DM
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 30 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 DM 封装。D1015UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DH
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 20 A、漏源击穿电压（Vds） 70 V，采用 DH 封装。PTVA127002EV-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-36275-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1200～1400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 105 V，采用 H-36275-4 封装。AGR19060EF
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。AGR21180EF
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。PTRA087008NB-V1-R5
Wolfspeed / Cree
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性 是。MHT1002GNR3
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 935315613528、单件重量 0.108111 oz。PTRA083818NF-V1-R5
Wolfspeed / Cree · 封装：PG-HBSOF-6-2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 733～805 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 105 V，采用 PG-HBSOF-6-2 封装。PXAC243502FV-V1-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37275-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2300～2400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37275-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。