Semelab / TT Electronics
D2008UK
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 TO-39-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- TT Electronics
- 品牌
- Semelab / TT Electronics
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- TO-39-3
- 安装方式
- 通孔安装
技术参数
16 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 技术
- Si
- 连续漏极电流（Id）
- 2 A
- 漏源击穿电压（Vds）
- 65 V
- 增益
- 13 dB
- 输出功率
- 5 W
- 最大工作温度
- + 150 C
- 配置
- Single
- 高度
- 4.95 mm
- 长度
- 9.4 mm
- 工作频率
- 400 MHz
- 类型
- RF Power MOSFET
展开更多参数（4 项）
- 宽度
- 9.4 mm
- 耗散功率（Pd）
- 29 W
- 栅源电压（Vgs）
- 20 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 1～7 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。