D2229UK
Semelab / TT Electronics · 封装：F-0127-8
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 F-0127-8 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录D2005UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DP
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 3 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 DP 封装。D2212UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DP
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 8 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 DP 封装。D2254UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DBC4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 4 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 DBC4 封装。D2224UK
Semelab / TT Electronics · 封装：SO-8
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 850 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 8 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 SO-8 封装。D1201UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DP
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 10 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 DP 封装。D2202UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DP
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 4 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 DP 封装。D2015UK
Semelab / TT Electronics · 封装：SOT-171-6
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 SOT-171-6 封装。D5013UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DP
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 3 A、漏源击穿电压（Vds） 125 V，采用 DP 封装。0405SC-100M
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。0405SC-1500M
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。LET9045STR
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Straight-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 9 A，采用 PowerSO-10RF-Straight-4 封装。PD55008-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Formed-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 4 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PowerSO-10RF-Formed-4 封装。SD4933
STMicroelectronics · 封装：M177
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 100 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 40 A、漏源击穿电压（Vds） 200 V，采用 M177 封装。PD85006-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Formed-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PowerSO-10RF-Formed-4 封装。LET9045TR
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Formed-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 9 A，采用 PowerSO-10RF-Formed-4 封装。LET9070CB
STMicroelectronics · 封装：M243
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 MHz to 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、连续漏极电流（Id） 12 A、漏源击穿电压（Vds） 80 V、增益 17 dB，采用 M243 封装。LET9060
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Formed-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、增益 17.2 dB、输出功率 60 W、湿敏性 是，采用 PowerSO-10RF-Formed-4 封装。PD57070S-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Straight-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 7 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 PowerSO-10RF-Straight-4 封装。LET9045S
STMicroelectronics
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、湿敏性 是。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。