STMicroelectronics
LET9070CB
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 MHz to 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、连续漏极电流（Id） 12 A、漏源击穿电压（Vds） 80 V、增益 17 dB，采用 M243 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- STMicroelectronics
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- LET9070CB
- 封装
- M243
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 散装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
10 项参数- 技术
- Si
- 连续漏极电流（Id）
- 12 A
- 漏源击穿电压（Vds）
- 80 V
- 增益
- 17 dB
- 输出功率
- 80 W
- 最大工作温度
- + 150 C
- 配置
- Single Common Source
- 工作频率
- 1 MHz to 1 GHz
- 类型
- RF Power MOSFET
- 栅源电压（Vgs）
- - 10 V, 15 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。