PXAC201602FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1880 MHz to 1920 MHz , 2010 MHz to 2025 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37248-4 封装。射频与无线
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
20,447 条型号记录AGR26125EF
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。AGR18125EF
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。PTVA101K02EV-V1-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-36275-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1030 MHz / 1090 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 105 V，采用 H-36275-4 封装。PTVA127002EV-V1-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-36275-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1200～1400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 105 V，采用 H-36275-4 封装。PTVA123501EC-V2-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-36248-2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1200～1400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 150 mA，采用 H-36248-2 封装。PTVA047002EV-V1-R250
Wolfspeed / Cree
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。PTRA093818NF-V1-R5
Wolfspeed / Cree · 封装：PG-HBSOF-6-2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 925～960 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 105 V，采用 PG-HBSOF-6-2 封装。PTVA104501EH-V1-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-33288-2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 960～1215 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 105 V，采用 H-33288-2 封装。PTRA094808NF-V1-R5
Wolfspeed / Cree · 封装：PG-HBSOF-6-2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 859～960 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 105 V，采用 PG-HBSOF-6-2 封装。PTFB183404E-V1-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-36275-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1805～1880 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-36275-8 封装。PTFB093608FV-V3-R2
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37275G-6/2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 920～960 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37275G-6/2 封装。PXAC203302FV-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37275-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1880～2025 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37275-4 封装。PXAC213308FV-V1-R2
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37275G-6/2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2110～2200 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37275G-6/2 封装。PTFC262157FH-V1-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-34288G-4/2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2620～2690 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-34288G-4/2 封装。PTRA094252FC-V1-R2
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 746～960 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 110 V，采用 H-37248-4 封装。PTFB092707FH-V1-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37288L-4/2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 925～960 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37288L-4/2 封装。PTVA120501EA-V1-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-36265-2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1200～1400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 50 mA，采用 H-36265-2 封装。PTFB182503FL-V2-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-34288-4/2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1805～1880 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-34288-4/2 封装。PTFB183404E-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-36275-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1805～1880 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-36275-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。