Wolfspeed / Cree
PTVA101K02EV-V1-R250
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1030 MHz / 1090 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 105 V，采用 H-36275-4 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Cree, Inc.
- 品牌
- Wolfspeed / Cree
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- H-36275-4
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
11 项参数- 晶体管极性
- Dual N-Channel
- 技术
- Si
- 漏源击穿电压（Vds）
- 105 V
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 100 mOhms
- 增益
- 18 dB
- 输出功率
- 25 W
- 最大工作温度
- + 225 C
- 工作频率
- 1030 MHz / 1090 MHz
- 类型
- RF Power MOSFET
- 通道数
- 2 个通道
- 栅源电压（Vgs）
- 10 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。