芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

20,447 条型号记录

每页 20 条

AFT23S160W02SR3

NXP / Freescale

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、型号别名 935320238128、单件重量 0.108323 oz。

查看资料询价

PD57045TR-E

STMicroelectronics

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET。

查看资料询价

MRF1535FNT1

NXP / Freescale · 封装：TO-272-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 6 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V、漏源导通电阻（Rds On） 700 mOhms，采用 TO-272-6 封装。

查看资料询价

PD84010TR-E

STMicroelectronics

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、湿敏性是。

查看资料询价

STAC2932FW

STMicroelectronics · 封装：STAC244F

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 250 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 40 A、漏源击穿电压（Vds） 125 V，采用 STAC244F 封装。

查看资料询价

PD84010-E

STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Formed-4

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 8 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PowerSO-10RF-Formed-4 封装。

查看资料询价

STAC2932BW

STMicroelectronics · 封装：STAC244B

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 250 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 40 A、漏源击穿电压（Vds） 125 V，采用 STAC244B 封装。

查看资料询价

PD55035-E

STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Formed-4

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 7 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PowerSO-10RF-Formed-4 封装。

查看资料询价

PD55035S-E

STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Straight-4

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 7 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PowerSO-10RF-Straight-4 封装。

查看资料询价

PD57006S-E

STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Straight-4

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 1 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 PowerSO-10RF-Straight-4 封装。

查看资料询价

LET9045

STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Straight-4

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、增益 18.5 dB、输出功率 45 W、湿敏性是，采用 PowerSO-10RF-Straight-4 封装。

查看资料询价

D2009UK

Semelab / TT Electronics · 封装：DQ

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 DQ 封装。

查看资料询价

D1202UK

Semelab / TT Electronics · 封装：DP

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 20 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 DP 封装。

查看资料询价

PTFB193404F-V1-R250

Wolfspeed / Cree · 封装：H-37275-6/2

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1930～1990 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37275-6/2 封装。

查看资料询价

D2201UK

Semelab / TT Electronics · 封装：DP

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 DP 封装。

查看资料询价

D2020UK

Semelab / TT Electronics · 封装：SO-8

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 SO-8 封装。

查看资料询价

D2205UK

Semelab / TT Electronics · 封装：DP

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 6 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 DP 封装。

查看资料询价

D2013UK

Semelab / TT Electronics · 封装：DK

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 4 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 DK 封装。

查看资料询价

D1007UK

Semelab / TT Electronics · 封装：DK

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 5 A、漏源击穿电压（Vds） 70 V，采用 DK 封装。

查看资料询价

D2220UK

Semelab / TT Electronics · 封装：SO-8

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 4 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 SO-8 封装。

查看资料询价

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。