Semelab / TT Electronics
D2013UK
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 4 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 DK 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- TT Electronics
- 品牌
- Semelab / TT Electronics
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- DK
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
技术参数
13 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 技术
- Si
- 连续漏极电流（Id）
- 4 A
- 漏源击穿电压（Vds）
- 65 V
- 增益
- 10 dB
- 输出功率
- 20 W
- 最大工作温度
- + 150 C
- 配置
- Dual
- 工作频率
- 1 GHz
- 类型
- RF Power MOSFET
- 耗散功率（Pd）
- 83 W
- 栅源电压（Vgs）
- 20 V
展开更多参数（1 项）
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 1～7 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。