AFT20P140-4WNR3
NXP / Freescale · 封装：OM-780-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1880～2025 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 500 mA、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 OM-780-4 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录UF2820P
MACOM · 封装：RF Mixer
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 RF Mixer 封装。AGR09045EF
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 895 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 4.25 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V。LET9120
STMicroelectronics · 封装：M246
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.6 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 18 A、漏源击穿电压（Vds） 80 V，采用 M246 封装。STAC9200
STMicroelectronics · 封装：STAC244B
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1.3 GHz、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 3 A、增益 18 dB，采用 STAC244B 封装。MRF150J
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。MMRF1006HR5
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935315276178、单件重量 0.464036 oz。A2T23H200W23SR6
NXP Semiconductors · 封装：ACP-1230S-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2300～2400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 1.8 A，采用 ACP-1230S-4 封装。UF28100V
MACOM · 封装：744A-01
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 100～500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 12 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 744A-01 封装。A3T18H360W23SR6
NXP Semiconductors · 封装：ACP-1230S-4L2S
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1805～1880 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.4 A，采用 ACP-1230S-4L2S 封装。MRF6VP3450HSR5
NXP / Freescale · 封装：NI-1230S
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 110 V、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 NI-1230S 封装。PD55015S-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Straight-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 5 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PowerSO-10RF-Straight-4 封装。IXFX21N100F
IXYS · 封装：TO-247-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 21 A、漏源击穿电压（Vds） 1000 V、漏源导通电阻（Rds On） 500 mOhms，采用 TO-247-3 封装。BLF378
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：SOT-262A
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 225 MHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 18 A、漏源击穿电压（Vds） 125 V、漏源导通电阻（Rds On） 300 mOhms，采用 SOT-262A 封装。PD85035S-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Straight-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 8 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PowerSO-10RF-Straight-4 封装。PD57060TR-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Formed-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 7 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 PowerSO-10RF-Formed-4 封装。DU2860U
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。IXZ210N50L2
IXYS · 封装：SMD-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2～110 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 10 A，采用 SMD-6 封装。A2T21H360-24SR6
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935318247128、单件重量 0.303504 oz。MRFE8VP8600HR5
NXP / Freescale · 封装：NI-1230H-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 470～860 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.8 A，采用 NI-1230H-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。