IXYS
IXFX21N100F
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 21 A、漏源击穿电压（Vds） 1000 V、漏源导通电阻（Rds On） 500 mOhms，采用 TO-247-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- IXYS
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- TO-247-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 管装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
20 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 技术
- Si
- 连续漏极电流（Id）
- 21 A
- 漏源击穿电压（Vds）
- 1000 V
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 500 mOhms
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 配置
- 1 N-Channel
- 高度
- 21.34 mm
- 长度
- 16.13 mm
- 宽度
- 5.21 mm
- 正向跨导（最小值）
- 15 S
- 通道数
- 1 个通道
展开更多参数（8 项）
- 通道模式
- Enhancement
- 下降时间
- 15 ns
- 耗散功率（Pd）
- 500 W
- 栅极电荷（Qg）
- 160 nC
- 上升时间
- 16 ns
- 栅源电压（Vgs）
- 20 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 3 V
- 单件重量
- 0.158733 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。