MMRF1304GNR1
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 935315325528、单件重量 0.019330 oz。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录MRF6V12250HSR5
NXP / Freescale · 封装：NI-780S
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 0.96～1.215 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 110 V、增益 20.3 dB，采用 NI-780S 封装。AFT20P140-4WGNR3
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、湿敏性 是、型号别名 935320319528、单件重量 0.109254 oz。STAC1214-250
STMicroelectronics · 封装：STAC265B
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1200～1400 MHz、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 80 V、增益 14 dB，采用 STAC265B 封装。PD20010TR-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Formed-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 5 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PowerSO-10RF-Formed-4 封装。MMRF1022HSR5
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935323695178、单件重量 0.303504 oz。STAC3933
STMicroelectronics · 封装：STAC177B
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 30 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 20 A、漏源击穿电压（Vds） 250 V，采用 STAC177B 封装。MHT1001HR5
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935325901178、单件重量 0.465355 oz。A2T14H450-23NR6
NXP / Freescale · 封装：OM-1230-4L2S
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1452～1511 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 3 A，采用 OM-1230-4L2S 封装。STAC3932B
STMicroelectronics · 封装：STAC-244B
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 250 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 20 A、漏源击穿电压（Vds） 250 V，采用 STAC-244B 封装。PD54008TR-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Formed-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 5 A、漏源击穿电压（Vds） 25 V，采用 PowerSO-10RF-Formed-4 封装。SD3931-10
STMicroelectronics · 封装：M174
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 150 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 10 A、漏源击穿电压（Vds） 250 V，采用 M174 封装。VRF2944MP
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET。MHT1803A
NXP Semiconductors · 封装：TO-247-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.8～50 MHz、晶体管极性 N-Channel、增益 28.2 dB、输出功率 300 W、最大工作温度 + 150 C、型号别名 935362694174，采用 TO-247-3 封装。QPD1025
Qorvo · 封装：NI-1230-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1～1.1 GHz、技术 GaN SiC、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 28 A，采用 NI-1230-4 封装。PTVA120501EA-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-36265-2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1200～1400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 50 mA，采用 H-36265-2 封装。PTFB183404F-V2-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37275-6/2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1805～1880 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37275-6/2 封装。A2T18S261W12NR3
NXP / Freescale · 封装：OM-880X-2L2L
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1805～1880 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 3 A，采用 OM-880X-2L2L 封装。AFT21S230SR5
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、型号别名 935314997178、单件重量 0.162645 oz。A2T21H140-24SR3
NXP Semiconductors · 封装：NI-780S-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2110～2170 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 1 A，采用 NI-780S-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。