Qorvo
QPD1025
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1～1.1 GHz、技术 GaN SiC、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 28 A，采用 NI-1230-4 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Qorvo
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- QPD
- 封装
- NI-1230-4
- 包装方式
- 托盘
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
13 项参数- 晶体管极性
- Dual N-Channel
- 技术
- GaN SiC
- 连续漏极电流（Id）
- 28 A
- 漏源击穿电压（Vds）
- 65 V
- 增益
- 22.5 dB
- 输出功率
- 1.862 kW
- 工作温度范围
- -40～85 °C
- 工作频率
- 1～1.1 GHz
- 类型
- RF Power MOSFET
- 通道数
- 2 个通道
- 湿敏性
- 是
- 耗散功率（Pd）
- 685 W
展开更多参数（1 项）
- 栅源电压（Vgs）
- - 2.8 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。