AFV10700H-1090
NXP Semiconductors · 封装：NI-780H-4L
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1030～1090 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.6 A，采用 NI-780H-4L 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录AGR19030EF
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。MRFX1K80N-88MHZ
NXP Semiconductors · 封装：OM-1230-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.8～400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 43 A，采用 OM-1230-4 封装。MRFE6VP5600-434
NXP / Freescale · 封装：NI-1230
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935372393598，采用 NI-1230 封装。MRFE6VP5600-225
NXP / Freescale · 封装：NI-1230
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935373559598，采用 NI-1230 封装。MMRF5014H-200MHZ
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935345451598、单件重量 0.017637 oz。AGR09085EF
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。VRF154FLMP
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。MMRF5017HS-1GHZ
NXP Semiconductors · 封装：NI-400S-2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 30～2200 MHz、技术 GaN SiC、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 200 mA，采用 NI-400S-2 封装。PTVA030121EA-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-36265-2
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 390～450 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、漏源击穿电压（Vds） 105 V、漏源导通电阻（Rds On） 2.8 Ω、增益 25 dB，采用 H-36265-2 封装。MRFE6VP6300-88
NXP / Freescale · 封装：NI-780
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 130 V、增益 26.5 dB，采用 NI-780 封装。SD2931-11W
STMicroelectronics
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET。MMRF1024HSR5
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935316174178、单件重量 0.302494 oz。PTVA120251EA-V2-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-36265-2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 500～1400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 105 V，采用 H-36265-2 封装。VRF161
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。MMRF1015GNR1
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 935315212528、单件重量 0.019330 oz。PD55008TR-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Formed-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 4 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PowerSO-10RF-Formed-4 封装。AFT21S232SR5
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、型号别名 935311357178、单件重量 0.162645 oz。MMRF1310HSR5
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935320331178、单件重量 0.161213 oz。AFT09MP055GNR1
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、湿敏性 是、型号别名 935317959528、单件重量 0.057666 oz。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。