NXP Semiconductors
MMRF5017HS-1GHZ
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 30～2200 MHz、技术 GaN SiC、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 200 mA，采用 NI-400S-2 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- NXP
- 品牌
- NXP Semiconductors
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- MMRF5017HS
- 封装
- NI-400S-2
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
技术参数
13 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 技术
- GaN SiC
- 连续漏极电流（Id）
- 200 mA
- 漏源击穿电压（Vds）
- 125 V
- 输出功率
- 125 W
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 工作频率
- 30～2200 MHz
- 类型
- RF Power MOSFET
- 通道数
- 1 个通道
- 耗散功率（Pd）
- 154 W
- 栅源电压（Vgs）
- - 8 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- - 2.3 V
展开更多参数（1 项）
- 型号别名
- 935371361598
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