PD57018-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Formed-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.5 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 PowerSO-10RF-Formed-4 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录MRF154
MACOM · 封装：368-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 80 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 60 A、漏源击穿电压（Vds） 125 V，采用 368-3 封装。MW6S010GNR1
NXP / Freescale · 封装：TO-270-2
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.5 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 68 V、增益 18 dB，采用 TO-270-2 封装。MRF6V2010NR1
NXP / Freescale · 封装：TO-270
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 450 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 110 V、增益 23.9 dB，采用 TO-270 封装。SD2931-10W
STMicroelectronics · 封装：M174
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 230 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 20 A、漏源击穿电压（Vds） 125 V，采用 M174 封装。PD20015-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Formed-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 7 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PowerSO-10RF-Formed-4 封装。MRF6VP11KHR5
NXP / Freescale · 封装：NI-1230
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 110 V、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 NI-1230 封装。MRF160
MACOM · 封装：249-06
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 1 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 249-06 封装。AFT05MS031NR1
NXP / Freescale · 封装：TO-270-2
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 136～520 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） - 500 mV, 40 V、增益 19 dB，采用 TO-270-2 封装。MW6S010NR1
NXP / Freescale · 封装：TO-270
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 125 mA、漏源击穿电压（Vds） 68 V、最小工作温度 - 65 C，采用 TO-270 封装。PD55003L-E
STMicroelectronics · 封装：PowerFLAT (5x5)
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.5 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PowerFLAT (5x5) 封装。AFT05MS031GNR1
NXP / Freescale · 封装：TO-270-2
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 136～520 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、漏源击穿电压（Vds） - 500 mV, 40 V、增益 19 dB、湿敏性 是，采用 TO-270-2 封装。SD2941-10W
STMicroelectronics
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET。MRF6VP3450HR5
NXP / Freescale · 封装：NI-1230
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 110 V、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 NI-1230 封装。MRF177
MACOM · 封装：744A-01
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 16 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 744A-01 封装。MMRF1014NT1
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 935318295515、单件重量 0.009877 oz。IXZ2210N50L2
IXYS · 封装：SMD-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2～110 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 10 A，采用 SMD-8 封装。VRF2933MP
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET。MRF1511NT1
NXP / Freescale · 封装：PLD-1.5
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 4 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PLD-1.5 封装。SD2933W
STMicroelectronics
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。