IXYS
IXZ2210N50L2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2～110 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 10 A，采用 SMD-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- IXYS
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- IXZ221
- 封装
- SMD-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 管装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
14 项参数- 晶体管极性
- Dual N-Channel
- 技术
- Si
- 连续漏极电流（Id）
- 10 A
- 漏源击穿电压（Vds）
- 500 V
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 1 Ω
- 输出功率
- 270 W
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 工作频率
- 2～110 MHz
- 类型
- RF Power MOSFET
- 正向跨导（最小值）
- 3.1 S
- 通道数
- 2 个通道
- 耗散功率（Pd）
- 270 W
展开更多参数（2 项）
- 栅源电压（Vgs）
- 20 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 4 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。