MRF1K50N-TF4
NXP / Freescale · 封装：OM-1230-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.8～500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 100 mA，采用 OM-1230-4 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录MRF1K50H-TF3
NXP / Freescale · 封装：NI-1230H-4S
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.8～500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 36 A，采用 NI-1230H-4S 封装。MHT1008NT1
NXP / Freescale · 封装：PLD-1.5W
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2.45 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 154 mA，采用 PLD-1.5W 封装。AFM906NT1
NXP / Freescale · 封装：HVSON-16
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 935316322515、单件重量 0 oz，采用 HVSON-16 封装。AFV10700HR5
NXP Semiconductors · 封装：NI-780H-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1030～1090 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.6 A，采用 NI-780H-4 封装。MRF1K50H-TF2
NXP / Freescale · 封装：NI-1230H-4S
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.8～500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 36 A，采用 NI-1230H-4S 封装。MRF1K50N-TF1
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935341564598、单件重量 0.017637 oz。AFM907NT1
NXP Semiconductors · 封装：DFN-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 136～941 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 3 A，采用 DFN-16 封装。MRF1K50H-TF1
NXP / Freescale · 封装：NI-1230H-4S
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.8～500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 36 A，采用 NI-1230H-4S 封装。PTFA080551E-V4-R0
Wolfspeed / Cree
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 869～960 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 450 mA。PTFB092707FH-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37288L-4/2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 925～960 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 H-37288L-4/2 封装。DU28120T
Aeroflex / Metelics (MACOM)
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2～175 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 24 A。PTFC270101M-V1-R1K
Wolfspeed / Cree · 封装：PG-SON-10
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 900～2700 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 PG-SON-10 封装。MRFE6VP8600HR5
NXP / Freescale · 封装：NI-1230
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 470～860 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 140 V、增益 18.8 dB，采用 NI-1230 封装。MRF151G
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET。BLF278
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。MRFE6VP6300HR3
NXP / Freescale · 封装：NI-780-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.8～600 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 130 V、增益 26.6 dB，采用 NI-780-4 封装。MRF1535NT1
NXP / Freescale · 封装：TO-272-Wrap-6
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 520 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 6 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 TO-272-Wrap-6 封装。MRFE6VP5150NR1
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、湿敏性 是、型号别名 935312397528、单件重量 0.057671 oz。AFT27S010NT1
NXP / Freescale · 封装：PLD-1.5W
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 100 MHz to 3.6 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 90 mA，采用 PLD-1.5W 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。