NXP / Freescale
MRF1535NT1
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 520 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 6 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 TO-272-Wrap-6 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- NXP
- 品牌
- NXP / Freescale
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- MRF1535N
- 封装
- TO-272-Wrap-6
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- E
技术参数
21 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 技术
- Si
- 连续漏极电流（Id）
- 6 A
- 漏源击穿电压（Vds）
- 40 V
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 700 mOhms
- 增益
- 13.5 dB
- 输出功率
- 35 W
- 工作温度范围
- -65～150 °C
- 配置
- Single
- 高度
- 2.74 mm
- 长度
- 23.67 mm
- 工作频率
- 520 MHz
展开更多参数（9 项）
- 类型
- RF Power MOSFET
- 宽度
- 6.4 mm
- 通道模式
- Enhancement
- 湿敏性
- 是
- 耗散功率（Pd）
- 135 W
- 栅源电压（Vgs）
- 20 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 2.6 V
- 型号别名
- 935317208528
- 单件重量
- 0.102294 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。