CGH09120F
Wolfspeed / Cree
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、工作频率 910 MHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 21 dB、晶体管极性 N-Channel。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录CGH27015F
Wolfspeed / Cree · 封装：440166
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、工作频率 2.7 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 14.5 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 440166 封装。CGH27060F
Wolfspeed / Cree · 封装：440193
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、工作频率 2.7 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 14 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 440193 封装。CGH55015F1
Wolfspeed / Cree
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 氮化镓（GaN）。CGH27030F
Wolfspeed / Cree · 封装：440196
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、工作频率 2.7 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 15 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 440196 封装。QPD1003
Qorvo · 封装：RF-565
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、工作频率 1.2～1.4 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 19.9 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 RF-565 封装。QPD1010
Qorvo · 封装：QFN-16
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、工作频率 4 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 24.7 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 QFN-16 封装。CGH55030F1
Wolfspeed / Cree
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 氮化镓（GaN）。MAGX-011086
Aeroflex / Metelics (MACOM) · 封装：QFN-24
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 DC to 6 GHz、技术 GaN Si、晶体管类型 HEMT、增益 9 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 28 V，采用 QFN-24 封装。CGHV1F025S
Wolfspeed / Cree · 封装：DFN-12
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、工作频率 15 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、类型 GaN SiC HEMT、增益 11 dB，采用 DFN-12 封装。CGHV1J070D-GP4
Wolfspeed / Cree · 封装：Die
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 10 MHz to 18 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 17 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 Die 封装。CGHV96100F2
Wolfspeed / Cree · 封装：440210
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 7.9～9.6 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 12.4 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V，采用 440210 封装。CGH40180PP
Wolfspeed / Cree · 封装：440199
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1～2.5 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 19 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 440199 封装。CGHV35150F
Wolfspeed / Cree · 封装：440193
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 3.1～3.5 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 13.3 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 150 V，采用 440193 封装。CGH40035F
Wolfspeed / Cree · 封装：440193
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 2～4 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 15 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 120 V，采用 440193 封装。T2G6003028-FL
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、湿敏性 是、型号别名 1100007。T2G6001528-SG
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 6 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 15 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V。CGH40120F
Wolfspeed / Cree · 封装：440193
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 1～2.5 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 19 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 120 V，采用 440193 封装。CGH40045F
Wolfspeed / Cree · 封装：440193
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 2～4 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 14 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 120 V，采用 440193 封装。CGH40025F
Wolfspeed / Cree · 封装：440166
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 2～6 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 15 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 120 V，采用 440166 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。