Wolfspeed / Cree
CGHV1F025S
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、工作频率 15 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、类型 GaN SiC HEMT、增益 11 dB，采用 DFN-12 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Cree, Inc.
- 品牌
- Wolfspeed / Cree
- 产品类别
- 射频结型场效应晶体管
- 封装
- DFN-12
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
20 项参数- 晶体管类型
- HEMT
- 技术
- GaN SiC
- 增益
- 11 dB
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 100 V
- 栅源击穿电压（Vgs）
- - 10 V to 2 V
- 连续漏极电流（Id）
- 2 A
- 输出功率
- 25 W
- 工作温度范围
- -40～150 °C
- 配置
- Single
- 高度
- 0.9 mm
- 长度
- 4 mm
展开更多参数（8 项）
- 工作频率
- 15 GHz
- 工作温度范围
- - 40 C to + 150 C
- 产品
- 氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）
- 类型
- GaN SiC HEMT
- 宽度
- 3 mm
- 开发套件
- CGHV1F025S-TB
- 湿敏性
- 是
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- - 3 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。