MAX2009ETI+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-28
主要参数包括工作电源电压 4.75～5.25 V、工作频率 1.2～2.5 GHz、技术 Si、噪声系数（NF） 7.5 dB、工作电源电流 5.8 mA、最大工作温度 + 85 C，采用 TQFN-28 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录MAX2010ETI+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-28
主要参数包括工作电源电压 4.75～5.25 V、工作频率 500 MHz to 1.1 GHz、技术 Si、噪声系数（NF） 5.5 dB、工作电源电流 5.8 mA、最大工作温度 + 85 C，采用 TQFN-28 封装。MAX2010ETI+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-28
主要参数包括工作电源电压 4.75～5.25 V、工作频率 500 MHz to 1.1 GHz、技术 Si、噪声系数（NF） 5.5 dB、工作电源电流 5.8 mA、最大工作温度 + 85 C，采用 TQFN-EP-28 封装。MAX2009ETI+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-28
主要参数包括工作电源电压 4.75～5.25 V、工作频率 1.2～2.5 GHz、技术 Si、噪声系数（NF） 7.5 dB、工作电源电流 5.8 mA、最大工作温度 + 85 C，采用 TQFN-EP-28 封装。NCF3321AHF/00100Y
NXP Semiconductors · 封装：HWQFN-40
主要参数包括工作频率 15 MHz、技术 Si、类型 RF Front End、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 中国台湾、最小工作温度 - 40 C，采用 HWQFN-40 封装。SKY85303-21
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电压 3.3 V, 5 V、工作频率 2.4 GHz、技术 Si、类型 RF Front End、原产国家或地区 马来西亚、增益 27 dB，采用 QFN-16 封装。SKY85329-11
Skyworks Solutions, Inc.
主要参数包括原产国家或地区 马来西亚。SKY85330-11
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：QFN-16
主要参数包括工作频率 2.4 GHz、类型 802.11 a/c, WLAN、原产国家或地区 马来西亚、增益 32 dB，采用 QFN-16 封装。SKY85347-11
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：LGA-16
主要参数包括工作频率 2.4～2.5 GHz、原产国家或地区 MX、增益 16.5 dB、湿敏性 是，采用 LGA-16 封装。SKY85354-11
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：LGA-16
主要参数包括工作频率 2.4 GHz、类型 Front-End ICs、原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是，采用 LGA-16 封装。SKY85207-11
Skyworks Solutions, Inc.
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 马来西亚。SKY68031-11
Skyworks Solutions, Inc.
主要参数包括工作电源电压 2.85～4.5 V、工作频率 400 MHz to 2.7 GHz、工作电源电流 400 nA、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 MX、最小工作温度 - 40 C。STA8100GA
STMicroelectronics
主要参数包括认证等级 AEC-Q100、原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是。SKY85729-11
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：QFN-16
主要参数包括工作频率 5 GHz、类型 Front-End ICs、原产国家或地区 马来西亚，采用 QFN-16 封装。SKYMD76302-11-01D
Skyworks Solutions, Inc.
主要参数包括原产国家或地区 美国。SKYMD76302-11-02D
Skyworks Solutions, Inc.
主要参数包括原产国家或地区 美国。GTVA126001EC-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-36248-2
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 1.2～1.4 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 18 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 150 V，采用 H-36248-2 封装。GTVA104001FA-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37265J-2
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 960 MHz to 1.215 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 19 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 150 V，采用 H-37265J-2 封装。GTVA123501FA-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37265J-2
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 1.2～1.4 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 18 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 150 V，采用 H-37265J-2 封装。GTVA107001EC-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-36248-2
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 960 MHz to 1.215 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 18 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 150 V，采用 H-36248-2 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。