Wolfspeed / Cree
GTVA123501FA-V1-R0
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 1.2～1.4 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 18 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 150 V，采用 H-37265J-2 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Cree, Inc.
- 品牌
- Wolfspeed / Cree
- 产品类别
- 射频结型场效应晶体管
- 封装
- H-37265J-2
- 安装方式
- Flange Mount
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
11 项参数- 晶体管类型
- HEMT
- 技术
- GaN SiC
- 增益
- 18 dB
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 150 V
- 栅源击穿电压（Vgs）
- - 10 V to 2 V
- 连续漏极电流（Id）
- 15 A
- 输出功率
- 350 W
- 工作频率
- 1.2～1.4 GHz
- 开发套件
- LTN/GTVA123501FA-V1
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- - 3 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。