BFP843FH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装:TSFP-4
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、型号别名 843F BFP H6327 SP001062606,采用 TSFP-4 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Infineon Technologies · 封装:TSFP-4
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、型号别名 843F BFP H6327 SP001062606,采用 TSFP-4 封装。Maxim Integrated
该型号为晶体管,主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、工作频率 900 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN。Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si。Advanced Semiconductor, Inc. · 封装:SOT-123
该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 28 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益(hfe) 15,采用 SOT-123 封装。Renesas / Intersil · 封装:SOIC-8
该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 10000 MHz (Typ)、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益(hfe) 40,采用 SOIC-8 封装。Advanced Semiconductor, Inc. · 封装:SOT-122A
该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 860 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益(hfe) 20,采用 SOT-122A 封装。MACOM · 封装:Si
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power,采用 Si 封装。ON Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power。Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si。Renesas / Intersil · 封装:SOIC-Narrow-16
该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 8000 MHz (Typ)、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益(hfe) 40,采用 SOIC-Narrow-16 封装。Renesas / Intersil · 封装:SOT-23
该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 7000 MHz (Typ)、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益(hfe) 15,采用 SOT-23 封装。Comchip Technology
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power。CEL
该型号为晶体管,主要参数包括技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Silicon Germanium、发射极-基极电压(VEBO) 2.8 V、连续集电极电流 750 mA、耗散功率(Pd) 1.9 W。Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power。Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power。Microchip / Microsemi
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si。Microchip / Microsemi
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si。MACOM
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si。MACOM
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power。MACOM
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。