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CEL

NESG270034-EV09-AZ

该型号为晶体管,主要参数包括技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Silicon Germanium、发射极-基极电压(VEBO) 2.8 V、连续集电极电流 750 mA、耗散功率(Pd) 1.9 W。

基本资料

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品牌 / 制造商
CEL
产品类别
晶体管
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
RoHS
E

技术参数

6 项参数
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
发射极-基极电压(VEBO)
2.8 V
连续集电极电流
750 mA
类型
RF Silicon Germanium
耗散功率(Pd)
1.9 W

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

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