MRF4427R1
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：SOIC-8
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 200 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 5，采用 SOIC-8 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录2SC5087R(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SMQ-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 125 C、工作频率 8 GHz (Typ)、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 VHF UHF Low Noise Low Distortion Amplifier、晶体管极性 NPN，采用 SMQ-4 封装。MT3S16U(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 125 C、工作频率 4 GHz (Typ)、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 UHF Band Oscillator and Amplifier、晶体管极性 NPN，采用 SC-70-3 封装。BFP 420F H6327
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、型号别名 BFP420FH6327XTSA1 BFP42FH6327XT SP000745268、单件重量 0.000066 oz。BFR 193F H6327
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、型号别名 BFR193FH6327XT BFR193FH6327XTSA1 SP000750424。BF771E6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 771 BF BF771E6327XT E6327 SP000010967、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。BFP 182R E7764
Infineon Technologies · 封装：SOT-143-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 8 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V，采用 SOT-143-4 封装。BFP 405 H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-343
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 12 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 60，采用 SOT-343 封装。SD1490
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：M173
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 860 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 10，采用 M173 封装。2SC5066-O,LF
Toshiba · 封装：SOT-416-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、最大工作温度 + 125 C，采用 SOT-416-3 封装。BFP 520 H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-343
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 45 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 70，采用 SOT-343 封装。BFP405FH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSFP-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 405F BFP BFP45FH6327XT H6327 SP000745258、单件重量 0.000063 oz，采用 TSFP-4 封装。BFP540FESDH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSFP-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 540FESD BFP BFP54FESDH6327XT H6327 SP000745300，采用 TSFP-4 封装。MCH4014-TL-H
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power。BFP 840FESD H6327
Infineon Technologies · 封装：TSFP-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 BFP840FESDH6327XTSA1 BFP84FESDH6327XT SP000977846，采用 TSFP-4 封装。2SC5087-O(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SMQ-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 125 C、工作频率 7 GHz (Typ)、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 VHF UHF Low Noise Low Distortion Amplifier、晶体管极性 NPN，采用 SMQ-4 封装。BFP 420 H6740
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、型号别名 BFP420H6740XTSA1 BFP42H674XT SP000745264。BFU520R
NXP Semiconductors · 封装：SOT143B-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、工作频率 900 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Wideband、类型 Wideband RF Transistor、晶体管极性 NPN，采用 SOT143B-4 封装。MRF5812GR1
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管。MT3S20TU(TE85L)
Toshiba · 封装：UFM-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 VHF UHF Low Noise Low Distortion Amplifier、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、发射极－基极电压（VEBO） 1.5 V，采用 UFM-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。