Toshiba
MT3S20TU(TE85L)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 VHF UHF Low Noise Low Distortion Amplifier、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、发射极－基极电压（VEBO） 1.5 V，采用 UFM-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Toshiba
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- MT3S20
- 封装
- UFM-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
10 项参数- 晶体管类型
- Bipolar
- 技术
- Si
- 晶体管极性
- NPN
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 12 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 1.5 V
- 连续集电极电流
- 80 mA
- 配置
- Single
- 类型
- VHF UHF Low Noise Low Distortion Amplifier
- 耗散功率（Pd）
- 900 mW
- 单件重量
- 0.000233 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。