BFP 640F H6327
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Silicon Germanium、型号别名 BFP640FH6327XTSA1 BFP64FH6327XT SP000750404、单件重量 0.000066 oz。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录MAPRST0912-350
MACOM · 封装：Ceramic
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.215 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V，采用 Ceramic 封装。BFP 650F H6327
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Silicon Germanium、型号别名 BFP650FH6327XTSA1 BFP65FH6327XT SP000750408。BFP 620F H7764
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Silicon Germanium、型号别名 BFP620FH7764XTSA1 BFP62FH7764XT SP000745304、单件重量 0.000066 oz。BFP 410 H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-343
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 25 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 60，采用 SOT-343 封装。BFR 340L3 E6327
Infineon Technologies · 封装：TSLP
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 14000 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 6 V，采用 TSLP 封装。MRF555T
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：317D-02
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 470 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 50，采用 317D-02 封装。BFS25A,115
NXP Semiconductors · 封装：SC-70
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 5000 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 50，采用 SC-70 封装。BFU910FX
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 934068421115、单件重量 0.000235 oz。MMBTH10-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。MMBT5401-G
Comchip Technology · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 100 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 50，采用 SOT-23 封装。MMBT2907A-G
Comchip Technology · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 200 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 50，采用 SOT-23-3 封装。MMBT2222A-G
Comchip Technology · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 300 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 40，采用 SOT-23-3 封装。MMBT5551-G
Comchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power。BFU530XRR
NXP Semiconductors · 封装：SOT143B-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、工作频率 900 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Wideband、类型 Wideband RF Transistor、晶体管极性 NPN，采用 SOT143B-4 封装。MRF8372LF
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：SOIC-8
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 800 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 SOIC-8 封装。BFP405H6740XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-343-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 405 BFP BFP45H674XT H6740 SP000745256，采用 SOT-343-4 封装。SD1015-06
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：M135
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 150 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 35，采用 M135 封装。2SC5087YTE85LF
Toshiba · 封装：SOT-24-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、连续集电极电流 80 mA，采用 SOT-24-4 封装。MRF5812LF
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：SOIC-8
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 50，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。