Comchip Technology
MMBT5401-G
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 100 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 50，采用 SOT-23 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Comchip Technology
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- MMBT5401
- 封装
- SOT-23
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
13 项参数- 晶体管类型
- Bipolar Power
- 技术
- Si
- 晶体管极性
- PNP
- 最小直流电流增益（hfe）
- 50
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- - 150 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- - 5 V
- 连续集电极电流
- - 0.6 A
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 配置
- Single
- 工作频率
- 100 MHz
- 类型
- RF Bipolar Power
- 耗散功率（Pd）
- 300 mW
展开更多参数（1 项）
- 单件重量
- 0.000282 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。