MRF586
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：TO-92
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 500 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 50，采用 TO-92 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录BFR 193L3 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 8000 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V，采用 SOT-23 封装。BFR840L3RHESDE6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSLP-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 75 GHz、技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Silicon Germanium、最大集电极－发射极电压（VCEO） 2.25 V、发射极－基极电压（VEBO） 2.9 V，采用 TSLP-3 封装。BFU725F/N1,115
NXP Semiconductors · 封装：SOT-343
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 55 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 40，采用 SOT-343 封装。MRF323
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：Case244-04
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 500 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 20，采用 Case244-04 封装。MRF426
MACOM · 封装：211-07
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 30 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 10，采用 211-07 封装。MRF4427
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：SOIC-8
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 200 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 5，采用 SOIC-8 封装。MS1000
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：M174
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 30 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 10，采用 M174 封装。MRF448
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、输出功率 220 W。SD1275-01
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：M113
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 160 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 20，采用 M113 封装。MRF5176
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：Case244-04
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 400 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 10，采用 Case244-04 封装。SD1458
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：M111
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 170～230 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 10，采用 M111 封装。MRF221
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：211-07
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 5，采用 211-07 封装。MRF464
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：SOT-123
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 30 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 10，采用 SOT-123 封装。2307
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。MS1001
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：M174
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 30 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 20，采用 M174 封装。SD1477
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：M111
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 10，采用 M111 封装。MRF553
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：317D-02
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 317D-02 封装。BFU530WF
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 934067694135、单件重量 0.000196 oz。BLW50F
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：SOT-123
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 30 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 19，采用 SOT-123 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。