NXP Semiconductors
BFU725F/N1,115
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 55 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 40，采用 SOT-343 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- NXP
- 品牌
- NXP Semiconductors
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- SOT-343
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
21 项参数- 晶体管类型
- Bipolar
- 技术
- Si
- 晶体管极性
- NPN
- 最小直流电流增益（hfe）
- 40
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 2.8 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 0.55 V
- 连续集电极电流
- 40 mA
- 工作温度范围
- -65～150 °C
- 配置
- Single
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 10 V
- 最大直流电流增益（hFE）
- 160 at 10 mA at 2 V
- 高度
- 1 mm
展开更多参数（9 项）
- 长度
- 2.2 mm
- 工作频率
- 55 GHz
- 类型
- RF Bipolar Small Signal
- 宽度
- 1.35 mm
- 增益带宽积（fT）
- 55000 MHz
- 最大直流集电极电流
- 0.04 A
- 耗散功率（Pd）
- 136 mW
- 型号别名
- 934063513115
- 单件重量
- 0.000235 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。