BFR183E6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 183 BFR BFR183E6327XT E6327 SP000011054、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录BFR380FH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSFP-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 380F BFR BFR38FH6327XT H6327 SP000750444，采用 TSFP-3 封装。BFP 540ESD H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-343
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 30 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 50，采用 SOT-343 封装。BFP540H6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-343-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 540 BFP BFP54H6327XT H6327 SP000745288、单件重量 0.000244 oz，采用 SOT-343-4 封装。BFP196E6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-143-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 196 BFP BFP196E6327XT E6327 SP000011027、单件重量 0.000395 oz，采用 SOT-143-4 封装。BFP 740 H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-343
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 42 GHz、技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Silicon Germanium、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 160，采用 SOT-343 封装。BFS20,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 450 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 40，采用 SOT-23-3 封装。BFP193E6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-143-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 193 BFP BFP193E6327XT E6327 SP000011024、单件重量 0.000395 oz，采用 SOT-143-4 封装。BFP 650 H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-343
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 37 GHz、技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Silicon Germanium、最大集电极－发射极电压（VCEO） 4 V、发射极－基极电压（VEBO） 1.2 V，采用 SOT-343 封装。BFR193FH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSFP-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 193F BFR BFR193FH6327XT H6327 SP000750424，采用 TSFP-3 封装。BFR 360F H6327
Infineon Technologies · 封装：TSFP-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 3.5 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 6 V，采用 TSFP-3 封装。BFP 196 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-143-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 7.5 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V，采用 SOT-143-4 封装。BFP840FESDH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSFP-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 85 GHz、技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Silicon Germanium、最大集电极－发射极电压（VCEO） 2.25 V、发射极－基极电压（VEBO） 2.6 V，采用 TSFP-4 封装。BFP196WH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-343-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 196W BFP BFP196WH6327XT H6327 SP000745250、单件重量 0.000238 oz，采用 SOT-343-4 封装。BFU580QX
NXP Semiconductors · 封装：SOT89-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、工作频率 900 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Wideband、类型 Wideband RF Transistor、晶体管极性 NPN，采用 SOT89-3 封装。MRF313
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：305A-01
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 400 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 20，采用 305A-01 封装。BFP640H6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-343-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 640 BFP BFP64H6327XT H6327 SP000745306、单件重量 0.000226 oz，采用 SOT-343-4 封装。BLV21
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：SOT-123
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 5，采用 SOT-123 封装。MRF951
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：Macro-X
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 50，采用 Macro-X 封装。MRF557
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：317D-02
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 800 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 90，采用 317D-02 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。