Infineon Technologies
BFP840FESDH6327XTSA1
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 85 GHz、技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Silicon Germanium、最大集电极－发射极电压（VCEO） 2.25 V、发射极－基极电压（VEBO） 2.6 V，采用 TSFP-4 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Infineon
- 品牌
- Infineon Technologies
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- BFP840
- 封装
- TSFP-4
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
12 项参数- 晶体管类型
- Bipolar
- 技术
- SiGe
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 2.25 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 2.6 V
- 连续集电极电流
- 35 mA
- 最大工作温度
- + 150 C
- 配置
- Dual
- 工作频率
- 85 GHz
- 类型
- RF Silicon Germanium
- 耗散功率（Pd）
- 75 mW
- 型号别名
- 840FESD BFP BFP84FESDH6327XT H6327 SP000977846
- 单件重量
- 0.000063 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。