BFP420FH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSFP-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 420F BFP BFP42FH6327XT H6327 SP000745268、单件重量 0.000063 oz，采用 TSFP-4 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录MRF10502
MACOM · 封装：355J-2
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.15 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 20，采用 355J-2 封装。NSVMMBTH10LT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、认证等级 AEC-Q101。BFP 182W H6327
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、型号别名 BFP182WH6327XTSA1 SP000745176。BFP620H7764XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-343-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 620 BFP BFP62H7764XT H7764 SP000745302、单件重量 0.000244 oz，采用 SOT-343-4 封装。BFP 460 H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-343
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 4.5 V、发射极－基极电压（VEBO） 1.5 V，采用 SOT-343 封装。BF888H6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-343-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 888 BF BF888H6327XT H6327 SP000745170、单件重量 0.000226 oz，采用 SOT-343-4 封装。BFP520FH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSFP-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 520F BFP BFP52FH6327XT H6327 SP000745282，采用 TSFP-4 封装。BFS 17S H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-363
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 20，采用 SOT-363 封装。BFP 842ESD H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-343-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 BFP842ESDH6327XT BFP842ESDH6327XTSA1 SP000943012、单件重量 0.000226 oz，采用 SOT-343-4 封装。SD1480
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：M111
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 20，采用 M111 封装。MRF393
MACOM · 封装：744A-01
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 500 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、最小直流电流增益（hfe） 40、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V，采用 744A-01 封装。BFR182E6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 182 BFR BFR182E6327XT E6327 SP000011051、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。BFP 540 H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-343
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、工作频率 30000 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN，采用 SOT-343 封装。BFU550WF
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 934067695135、单件重量 0.000196 oz。BFR 182W H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 8 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 70，采用 SOT-323 封装。BFP 840ESD H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-343-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 BFP840ESDH6327XTSA1 BFP84ESDH6327XT SP000943010、单件重量 0.000226 oz，采用 SOT-343-4 封装。BFR 360F H6765
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、型号别名 BFR360FH6765XTSA1 BFR36FH6765XT SP000750442。BFP 420 H6433
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、型号别名 BFP420H6433XTMA1 BFP42H6433XT SP000745262。BFS19,235
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 260 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V，采用 SOT-23-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。