ChipSourceHub 美芯科技

Infineon Technologies

BFP 540 H6327

该型号为晶体管,主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、工作频率 30000 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN,采用 SOT-343 封装。

基本资料

查看数据手册 ↗
制造商
Infineon
品牌
Infineon Technologies
产品类别
晶体管
产品系列
BFP540
封装
SOT-343
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

19 项参数
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
最小直流电流增益(hfe)
50
最大集电极-发射极电压(VCEO)
4.5 V
发射极-基极电压(VEBO)
1 V
连续集电极电流
0.08 A
工作温度范围
-65~150 °C
配置
Single
集电极-基极电压(VCBO)
14 V
高度
0.9 mm
长度
2 mm
展开更多参数(7 项)
工作频率
30000 MHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.25 mm
耗散功率(Pd)
250 mW
型号别名
BFP540H6327XTSA1 BFP54H6327XT SP000745288
单件重量
0.000243 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

BFP 540 H6327 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技