BFU660F,115
NXP Semiconductors · 封装：SOT-343F
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 90、最大集电极－发射极电压（VCEO） 5.5 V，采用 SOT-343F 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录BFP640ESDH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-343-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 640ESD BFP BFP64ESDH6327XT H6327 SP000785482，采用 SOT-343-4 封装。BFP 640ESD H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-343
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 45 GHz、技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Silicon Germanium、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 110，采用 SOT-343 封装。BFP 540FESD H6327
Infineon Technologies · 封装：TSFP-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 30 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 50，采用 TSFP-4 封装。BFP 720 H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-343
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 45 GHz、技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Silicon Germanium、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 160，采用 SOT-343 封装。BFP 740ESD H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT343-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 45 GHz、技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Silicon Germanium、最大集电极－发射极电压（VCEO） 4.2 V、连续集电极电流 45 mA，采用 SOT343-3 封装。BFU520XAR
NXP Semiconductors · 封装：SOT143B-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、工作频率 900 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Wideband、类型 Wideband RF Transistor、晶体管极性 NPN，采用 SOT143B-4 封装。BFP760H6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-343-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 760 BFP H6327 SP001023768、单件重量 0.010582 oz，采用 SOT-343-4 封装。BFU520AVL
NXP Semiconductors
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 934067697235、单件重量 0.000266 oz。BFU730LXZ
NXP Semiconductors · 封装：SOT-883C-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 53 GHz、技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar Wideband、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 205、最大集电极－发射极电压（VCEO） 10 V，采用 SOT-883C-3 封装。BFS 481 H6327
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、型号别名 BFS481H6327XT BFS481H6327XTSA1 SP000750462。BFU580GX
NXP Semiconductors · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、工作频率 900 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Wideband、类型 Wideband RF Transistor、晶体管极性 NPN，采用 SOT-223-4 封装。MRF428
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。NSVF6001SB6T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。BLT81,115
NXP Semiconductors · 封装：SOT-223
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 9.5 V、发射极－基极电压（VEBO） 2.5 V，采用 SOT-223 封装。MRF581A
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：Macro-X
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 90，采用 Macro-X 封装。BLV20
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：SOT-123
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 10，采用 SOT-123 封装。BFP720H6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-343-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 720 BFP BFP72H6327XT H6327 SP000750410，采用 SOT-343-4 封装。BFP 420 H6801
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、型号别名 BFP420H6801XTSA1 BFP42H681XT SP000745266。BFR181E6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 181 BFR BFR181E6327XT E6327 SP000011047、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。